DG645 八通道數(shù)字延時脈沖發(fā)生器
數(shù)字延時脈沖發(fā)生器DG645由高精度電路產(chǎn)生TTL幅值的脈沖并進(jìn)行數(shù)字化控制其延遲時間進(jìn)行輸出。并提供四個單獨(dú)的脈沖輸出,最多八個延時邏輯轉(zhuǎn)換。該儀器提供更低的抖動,更高的精度,更快的觸發(fā)頻率和更多的輸出。所有通道的延時分辨率為5ps,并且每個通道之間的抖動小于25ps。脈沖頻率高達(dá)10MHz。 DG645可以通過以太網(wǎng)、GPIB和RS-232接口于計算機(jī)相連。此設(shè)備非常適用于多臺設(shè)備的時序控制實驗,并廣泛應(yīng)用在激光控制、光電科研、測試和測量系統(tǒng)中。
DG645既可以內(nèi)部觸發(fā),也可以接收外部觸發(fā)進(jìn)行時序控制。標(biāo)準(zhǔn)主機(jī)前面板共有5個BNC輸出端口,分別是T0、AB、CD、EF、GH;并且振幅、偏置和極性可調(diào)。(如下圖):
DG645數(shù)字延時脈沖發(fā)生器通過選配附件可以拓展八通道的延時輸出,其延時時序同樣通過前面板來設(shè)置。具體的選配情況和輸出時序控制列舉如下:
Option01 為5V電壓的延時輸出端口,源阻抗為50Ω。脈沖特性為:上升沿為程序設(shè)定、下降沿為最長延時之后25ns(如下圖):
Option02為30V高壓延時輸出端口,源阻抗為50Ω。脈沖特性為:上升沿為程序設(shè)定、下降沿為上升沿100ns之后自動變換(如下圖):
Option03是組合式脈沖輸出端口,輸出形式有:T0, AB, CD, EF, GH (with the same definition as the front-panel outputs), and (AB+CD), (EF+GH), (AB+CD+EF), (AB+CD+EF+GH)。
脈沖特性為
T0, AB, CD, EF, GH Logic high for time between delays
(AB+CD), (EF+GH) Two pulses created by the logic OR of the given channels
(AB+CD+EF) Three pulses created by the logic OR of the given channels
(AB+CD+EF+GH) Four pulses created by the logic OR of the given channels
Option04和Option05為內(nèi)置的時間晶振,分別是恒溫晶振和銣振蕩器,在選配之后可大大改善設(shè)備的Jitter、Stability和aging等性能。具體的對比如下:
另外DG645還可以選配SRD01附件,此配件為快速上升時間模塊,其主要特性是將上升沿的斜率提高,使其由低電平轉(zhuǎn)換成高電平的時間縮短至<100ps,為了能滿足特定用戶的需求。
部分性能參數(shù):
♦延時
通道 4路可設(shè)定脈寬和位置的獨(dú)立脈沖輸出; 8路可供選擇的延時輸出(see Output Options)。
范圍 0 to 2000 s
分辨率 5 ps
精度 1 ns + (timebase error × delay)
抖動(rms)
Ext. trig. to any output <25 ps + (timebase jitter × delay)
T0 to any output <15 ps + (timebase jitter × delay)
觸發(fā)延時 85 ns (ext. trig. to T0 output)
♦外部觸發(fā)
比率 DC to 1/(100 ns + longest delay)(maximum of 10 MHz)
閾值 ±3.50 VDC
斜率 Trigger on rising or falling edge
阻抗 1 MΩ + 15 pF
♦內(nèi)部比率發(fā)生器
觸發(fā)模式 Continuous, line or single shot
比率 100 μHz to 10 MHz
分辨率 1 μHz
精度 Same as timebase
抖動(rms) <25 ps (10 MHz/N trigger rate)
<100 ps (other trigger rates)
♦Burst Generator
Trigger to first T0
Range 0 to 2000 s
Resolution 5 ps
Period between pulses
Range 100 ns to 42.9 s
Resolution 10 ns
Delay cycles per burst 1 to 232 – 1